نشر التدريسي في جامعة سامراء _ كلية التربية _ قسم الفيزياء ( م.د. فارس ماهر احمد ) بحثاً علمياً بعنوان _( Optoelectronic properties of n-Ag₂S nanotubes/p-Si heterojunction photodetector prepared by chemical bath deposition technique: An effect of deposition time ) _ قي ( Surfaces and interfaces analysis ) وهي مجلة عالمية رصينة ذات معامل تأثير عالي ضمن مستوعبات سكوبس ،

خلاصة البحث

في هذا البحث ، تم تحضير غشاء كبريتيد الفضة (Ag₂S) ذو التركيب النانوي بتقنية ترسيب الحمام الكيميائي (CBD) في أوقات ترسيب مختلفة. تمت دراسة تأثير الترسيب على الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء Ag₂S باستخدام حيود الأشعة السينية (XRD) ، والمجهر الإلكتروني الماسح (SEM) ، والأشعة السينية المشتتة للطاقة (EDX) ، والمجهر الإلكتروني النافذ (TEM) ، والتحليل الطيفي للأشعة المرئية وفوق البنفسجية (UV). تظهر دراسة حيود الأشعة السينية أن الأغشية المرسبة متبلورة ذات بنية أحادية الميل. كشفت نتائج SEM أن شكل وبناء الغشاء يعتمد على وقت الترسيب. الغشاء المرسب عند وقت الترسيب 10 ساعات خليط من الجسيمات النانوية المتكتلة والأنابيب النانوية المتشكلة(NTs). أظهرت نتائج المجهر الإلكتروني النافذ (TEM) أن معدل قطر الأنابيب النانوية كان 60 نانومتر ، وتظهر الخصائص البصرية أن معدل الانتقالات البصرية للغشاء يتناقص مع زيادة وقت الترسيب. تم الحصول على قيمة فجوة الطاقة البصرية للأغشية المرسبة تتراوح من eV 1.8 إلى eV 2.17 في درجة حرارة الغرفة واعتمادًا على وقت الترسيب. الاشكال الخاصة بالمركب الهجين للكواشف الضوئية n-Ag2S/p-Si مثل الجهد –تيار الظلام والجهد-تيار الضوء والاستجابية الخطية والكشفية النوعية تكون دالة لوقت الترسيب. كانت أقصى استجابية للكاشف الضوئي حوالي 0.5 أمبير / واط عند 850 نانومتر للكاشف الضوئي الذي تم تحضيره في وقت الترسيب 10 ساعات.